В настоящее время использование различных наноструктур и сверхтонких слоев с шероховатой морфологией поверхности для изготовления сенсоров и фоточувствительных устройств привлекает все большее  внимание. В данной работе представлены фотодетекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких слоев нитрида галлия, выращенных на сапфировых подложках методом молекулярно-пучковой эпитаксии с  плазменной активацией азота. Изготовлены два типа фотодетекторов: детекторы металл−полупроводник−металл и фотодиоды Шоттки, и исследованы их характеристики. Показано, что использование в конструкции детектора слоя диоксида кремния позволяет не только снизить темновой ток таких приборов, но и кардинально увеличить фототок детекторов. Таким образом, пассивация поверхности нитрида галлия диоксидом  кремния позволяет увеличить отношение фототока к темновому току детекторов, а значит, положительно влияет на производительность фоточувствительных приборов на основе ультратонких слоев нитрида галлия.