Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

Физическая электроника
Авторы:
Пирогов Евгений Викторович Шубина Ксения Юрьевна Баранов Артем Игоревич Воропаев Кирилл Олегович Васильев Андрей Андреевич Карачинский Леонид Яковлевич Новиков Иннокентий Игоревич Соболев Максим Сергеевич Баранцев Олег Вячеславович Василькова Елена Игоревна
Аннотация:

In0,83Ga0,17As/InP PIN-фотодиодные гетероструктуры с различными концентрациями легирующей примеси в поглощающем слое были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Метаморфные буферные  слои использованы для уменьшения плотности дислокаций несоответствия в активной области гетероструктур. Были изучены вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики полученных кристаллов фотодиодов.  На основе вольт-амперных характеристик, полученных при разных температурах, был исследован вклад различных механизмов образования темновых токов.