Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Авторы:
Баженов Николай Леонидович Романов Вячеслав Витальевич Моисеев Константин Дмитриевич Ружевич Максим Станиславович Мынбаев Карим Джафарович
Аннотация:

Исследована электролюминесценция узкозонных гетероструктур n-InAs/InAs1–ySby/p-InAsSbP с содержанием антимонида индия в активной области y = 0,07–0,12. Обнаружен канал интерфейсной излучательной рекомбинации, связанный с гетерограницей InAsSb/InAsSbP. Установлена зависимость типа этой гетерограницы от фактического состава барьерного слоя вблизи границы.