Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Проведены комплексные исследования люминесценции p–i–n структур с 10 компенсированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. Исследования выполнены в терагерцовом (ТГц) и ближнем инфракрасном (БИК) спектральных диапазонах как при оптической, так и при электрической накачке неравновесных носителей заряда. На спектрах ТГц фотолюминесценции выявлена линия излучения, обусловленная переходами электронов из первой подзоны размерного квантования e1 на основные уровни доноров D1s. На спектрах фото- и электролюминесценции в БИК диапазоне выявлена линия излучения, обусловленная переходами электронов с уровней D1s в первую подзону размерного квантования тяжелых дырок hh1. Эти переходы обеспечивают эффективное опустошение уровней D1s и потому актуальны для создания ТГц эмиттера, работающего на переходах e1–D1s. При больших токах инжекции в p–i–n диоде возникает лазерная генерация на переходах D1s–hh1, что повышает эффективность опустошения уровней D1s. Показано, что при заданной мощности оптической накачки или плотности инжекционного тока общая скорость переходов D1s–hh1 в p–i–n-структуре с 10 КЯ значительно выше, чем в аналогичной структуре с 50 КЯ.