Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Пирогов Евгений Викторович Василькова Елена Игоревна Шубина Ксения Юрьевна Синицкая Олеся Алексеевна Соболев Максим Сергеевич Никитина Екатерина Викторовна Березовская Тамара Нарциссовна
Аннотация:

Исследованы изменения электрофизических и структурных параметров транзисторных псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs при естественном хранении в течение более одиннадцати лет. Обнаружено, что электрофизические параметры псевдоморфных транзисторных гетероструктур оставались в заданных пределах (с учетом погрешности измерения) спустя одиннадцать лет хранения. Структурные свойства (толщина и состав InGaAs-канала) псевдоморфных гетероструктур претерпели существенные изменения, связанные с размытием InGaAs-канала вследствие диффузии.