Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs
Авторы:
Аннотация:
В настоящей работе исследовано влияние плазмохимической обработки кремниевых подложек на последующий эпитаксиальный рост GaAs. Показано, что смена режимов обработки не приводила к сильному изменению среднеквадратичной шероховатости исходной поверхности кремния. Установлено, что при одних и тех же условиях роста наноструктуры GaAs формируются на кремниевых подложках по-разному в зависимости от режима обработки кремния: от отдельных кристаллитов с нанопроволоками до структуры, сросшейся из отдельных кристаллитов.