Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Экспериментально выявлен значительный источник потерь носителей заряда на безызлучательную рекомбинацию в AlGaN QWs, вызванный присутствием заряженных центров, локализованных на разупорядоченных гетеро границах. Выяснено, что спектральная плотность токового низкочастотного шума, несущая интегральную информацию о единичных дефектах и дефектной системе, на порядок выше в AlGaN QWs, чем в  эффективных голубых InGaN/GaN QWs. Таким образом, потери на безызлучательную рекомбинацию по-прежнему являются источником, ответственным за низкую квантовую эффективность ультрафиолетовых  светодиодов.