Статьи по ключевому слову "двумерный"

Оптимизация гетероструктур AlGaN/GaN для транзисторов с высокой подвижностью электронов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 29
  • Страницы: 129-133

Контроль фаз в квазидвумерном галогенидном перовските с помощью методов постобработки и обработки антирастворителем

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 699
  • Страницы: 263-267

Влияние подсветки на положительное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlAs

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 3977
  • Страницы: 67-71

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 4038
  • Страницы: 46-51

Хаотический потенциал заряженных дислокаций в гетероконтактах III-нитридов при локализации двумерного электронного газа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 42
  • 4570
  • Страницы: 21-28

Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 32
  • 4886
  • Страницы: 380-384

Хаотический потенциал заряженных дислокаций в гетероконтактах III-нитридов при высоких температурах

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 2
  • 27
  • 6720
  • Страницы: 17-25

Свободные и связанные колебания электрона в двумерной квантовой системе с распределенным потенциалом и лазерным импульсом

Физическая электроника
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 9351
  • Страницы: 155-162