Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Публикации
Orcid ID
0000-0002-4894-6503
Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 24
- 2327
- Страницы: 182-186
Структурные и морфологические особенности гетероструктур InGaAs/InP фотодетекторов с длиной волны отсечки 2.5 мкм с различным профилем метаморфного буферного слоя
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 119
- Страницы: 172-177