Коханенко Андрей Павлович
  • Место работы
    Национальный исследовательский Томский государственный университет
  • г. Томск, Российская Федерация

Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 2203
  • Страницы: 112-116

Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 23
  • 2435
  • Страницы: 232-236

Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 535
  • Страницы: 139-142

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: