Лозовой Кирилл Александрович
  • Место работы
    Национальный исследовательский Томский государственный университет
  • г. Томск, Российская Федерация
  • Публикации

Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 16
  • 2029
  • Страницы: 112-116

Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 2250
  • Страницы: 232-236

Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 349
  • Страницы: 139-142

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: