Лозовой  Кирилл  Александрович
Лозовой Кирилл Александрович
Место работы
Национальный исследовательский Томский государственный университет
г. Томск, Российская Федерация
Публикации

Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si (100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 19
  • 3652
  • Страницы: 112-116

Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 29
  • 4066
  • Страницы: 232-236

Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 1980
  • Страницы: 139-142