Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Лозовой Кирилл Александрович
Место работы
Национальный исследовательский Томский государственный университет
г. Томск, Российская Федерация
Публикации
Orcid ID
0000-0002-4029-8353
Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si (100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 20
- 3973
- Страницы: 112-116
Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 30
- 4391
- Страницы: 232-236
Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 9
- 2316
- Страницы: 139-142
Определение длины сверхструктуры 2xN при синтезе Ge на Si (001) при разных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 21
- Страницы: 91-95