Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Скворцов Илья Владимирович
Место работы
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
г. Новосибирск, Российская Федерация
Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 22
- 3800
- Страницы: 73-78
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 45
- 2784
- Страницы: 62-67
Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 36
- 2907
- Страницы: 83-88