Машанов Владимир Иванович
  • Место работы
    Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация

Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 18
  • 1483
  • Страницы: 73-78

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 356
  • Страницы: 62-67

Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 353
  • Страницы: 83-88