Шабунина Евгения И.
  • Место работы
    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация
  • Публикации

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 27
  • 2949
  • Страницы: 70-76

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 17
  • 2558
  • Страницы: 85-89

Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 486
  • Страницы: 177-181

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: