Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине

В работе обсуждается низкотемпературный рост нитевидных нанокристаллов арсенида галлия на кремнии с использованием свинца. Обычно формирование A3B5 нитевидных нанокристаллов происходит по механизму пар-жидкость-кристалл. Их рост проводят с использованием катализатора, хорошо растворяющего только элемент III группы. В данной работе в качестве инициатора роста использовался свинец, который так же хорошо растворяет элемент V группы — мышьяк. Оказалось, что при низкой температуре роста 350 °C, механизм формирования нитевидных нанокристаллов сильно отличается от классического. Частица-катализатор на вершине оказалась не свинцовым, а кремниевым арсенидом. Это позволяет утверждать, что рост нитевидных нанокристаллов проходил по механизму пар-кристалл-кристалл.