Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si (111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

Впервые продемонстрировано селективное формирование упорядоченных массивов вертикальных нитевидных нанокристаллов GaAs на подложках Si (111) с собственным оксидом, модифицированных путем двухэтапной обработки поверхности ионным пучком Ga⁺. В данном подходе сначала проводится сплошная обработка подложки малыми, а затем точечная большими дозами, что позволяет подавить паразитный рост в области модификации и стимулировать формирование нитевидных нанокристаллов в заданных точках. Оптимизация доз и расстояния между точками воздействия ионного пучка позволяет получать одиночные вертикальные нитевидные нанокристаллы GaAs, демонстрирующие интенсивную фотолюминесценцию при комнатной температуре