В данной работе методом металлорганической газофазной эпитаксии был выращен набор гетероструктур Al_xGa_1−xN/GaN с увеличенной до 0.30–0.45 мольной долей алюминия. Было показано, что зависимость  слоевого сопротивления от состава барьерного слоя имеет минимум при x ~ 0.37. Наименьшее экспериментально полученное значение составило 236 Ω/кв., что, насколько нам известно, является самым низким  значением для подобных AlGaN/GaN структур, выращенных на подложках Si.