Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

В данной работе для выращивания GaN был использован метод плазменного атомно-слоевого осаждения (PE-ALD) с непрерывной водородной плазмой. Также было исследовано использование плазмы только на  этапе осаждения монослоя азота, а также активация поверхности аргоновой плазмой. Методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследованы структурные свойства слоев GaN, выращенных на подложках Si в  различных условиях. Было показано, что плазменная обработка Ar in situ в процессе PE-ALD роста GaN приводит к улучшению шероховатости поверхности, а также к увеличению скорости роста. Напротив,  использование водородной плазмы в процессе приводит к резкому увеличению шероховатости поверхности за счет паразитных осаждений.