Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)

В данной работе представлены результаты экспериментальных исследований селективного формирования массивов нитевидных нанокристаллов GaAs на поверхности подложки Si(111) и их свойств. Было показано, что предварительная обработка поверхности Si(111) со слоем естественного оксида фокусированным пучком ионов Ga с последующим низкотемпературным отжигом и высокотемпературным ростом позволяет  локально формировать массивы нитевидных нанокристаллов GaAs с различным набором параметров, которыми можно управлять, изменяя дозу ионно-лучевой обработки. Продемонстрирована возможность  получения массивов с выходом вертикально ориентированных нитевидных нанокристаллов на уровне практически 100% и очень высокой плотностью (до 8 мкм⁻²). При этом вне области обработки образование  нитевидных нанокристаллов было практически полностью подавлено. Результаты анализа образцов спектроскопией комбинационного рассеяния света показали возможность получения массивов нитевидных  нанокристаллов со структурой цинковой обманки в широком диапазоне размеров наноструктур.