Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

В работе исследовано влияние ростовых условий и состояния поверхности кремния на процессы формирования буферных слоев фосфида галлия GaP на подложках кремния Si (001). Предложен и развит двухстадийный метод эпитаксиального выращивания псевдоморфных однодоменных буферных слоев GaP на Si (001), обеспечивающий разделение стадий зарождения и роста слоя на подложке. В отличие от метода эпитаксии с повышенной миграцией, предложенная технология позволяет управлять профилем легирования буферных слоев GaP на Si, что важно для дальнейших функциональных применений. Найдены основные факторы, определяющие ориентацию кристаллической решетки GaP при ее зарождении на вицинальной поверхности подложки. Путем тщательного контроля ростового процесса на обеих стадиях методами просвечивающей электронной микроскопии (TEM), дифракции быстрых электронов на отражение (RHEED), атомно-силовой микроскопии (AFM) и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии (HRXRD) доказано высокое структурное совершенство выращенных буферных слоев.