Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs
Авторы:
Аннотация:
В работе исследуются эффекты резонансного туннелирования носителей заряда зоны Г8 в гетероструктуре GaAs/AlAs в рамках метода эффективной массы с учетом сложного характера закона дисперсии валентной зоны. Задача решается с помощью введения функции Грина с параметрической зависимостью от энергии в рамках биортогонального формализма квантовой теории. Исследованы эффекты, накладываемые спиновым состоянием дырок, а также влиянием короткодействующих интерфейсных поправок.