Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

В данной работе представлены результаты исследования слоев GaN-on-Si, выращенных методом аммиачной МЛЭ в диапазоне температур 775–825 °C методом фотолюминесценции. Наименьшее значение  концентрации дефектов было получено при температуре роста 825 °C. Увеличение концентрации дефектов в пленке с понижением температуры роста можно объяснить отклонением от оптимальной температуры роста и, как следствие, ухудшением кристаллического совершенства слоев GaN.