Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Авторы:
Калиновский Виталий Станисловович Малеев Николай Анатольевич Васильев Алексей Петрович Контрош Евгений Владимирович Толкачев Иван Андреевич Прудченко Ксения Константиновна Устинов Виктор Михайлович
Аннотация:

Предложен новый тип термостабильного GaAs/AlGaAs туннельного диода с промежуточным i-слоем, как соединительный элемент между фотоактивными суб-элементами в монолитных многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения. В температурном диапазоне (25–80) °С исследованы вольтамперные характеристики двух типов структур соединительных туннельных диодов: n++-GaAs(δSi)/p++-Al0.4Ga0.6As(C) и n++-GaAs(δSi)/i-GaAs/p++-Al0.4Ga0.6As:(C). Получены температурные зависимости основных параметров ТД: плотности пикового туннельного тока – (Jp) и дифференциального сопротивления – (Rd). В образцах туннельных диодов структуры с i-слоем, получены на порядок большие значения Jp и на порядок меньшие значения Rd, с более высокой температурной стабильностью, чем в образцах структуры без i-слоя. Полученные результаты полезны при разработке и создании монолитных многопереходных фотопреобразователей мощного лазерного излучения.