Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами
В данной работе проводится исследование влияния сходного с космическим излучения на околоземных орбитах на дефектообразование в СЭ на подложках кремния n-типа с технологией гетероперехода, выращенных методом плазмохимического осаждения. Для сравнения фотоэлектрических свойств были созданы три образца: исходный (без электронного облучения) и два облученных с флюенсом облучения 5·1014 cm–2 и 1·1015 cm–2. Продемонстрировано катастрофическое падение параметров солнечных элементов: ток короткого замыкания падает почти в два раза, а напряжение холостого хода на 180–200 мВ. Измерения методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней продемонстрировали формирование A-центров (V-O, комплекс вакансия-кислород) с энергией активации 0.16–0.17 эВ во всем объеме подложки кремния, а их концентрация растет с увеличением дозы облучения. Таким образом, их формирование ответственно за ухудшение фотоэлектрических свойств рассматриваемых солнечных элементов на n-Si.