Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Приведены результаты исследования фотолюминесценции ближнего инфракрасного (ИК) и терагерцового диапазонов в легированных слоях GaAs, помещенных в оптический волновод ближнего ИК диапазона. Терагерцовое излучение при оптической межзонной накачке связывается с переходами неравновесных электронов из зоны проводимости на состояния примеси. Получено стимулированное излучение ближнего ИК диапазона с участием примесных состояний. Продемонстрирован ускоренный рост интегральной интенсивности терагерцового излучения при интенсивностях накачки, превышающих порог стимулированного излучения ближнего ИК диапазона. Рост интенсивности связан с ускоренным опустошением основного состояния примеси стимулированным излучением.