Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования

С помощью проводящей атомно-силовой микроскопии получены вольтамперные характеристики одиночных нитевидных нанокристаллов фосфида галлия, легированных кремнием и бериллием, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при различных условиях. Построена численная модель для расчета вольтамперных характеристик, оценено влияние на проводимость ННК их геометрии и легирования, а также подвижности носителей заряда и величины барьера Шоттки с зондом. На основании проведенного анализа установлены режимы роста, оптимальные для синтеза высоколегированных n- и p- ННК фосфида галлия.