Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

Исследовано фотоиндуцированное поглощение света в наноструктурах с легированными квантовыми точками Ge/Si, а также в нелегированных структурах. Получены спектры фотоиндуцированного поглощения при криогенных температурах при прямой и непрямой в реальном пространстве резонансной межзонной накачке, а также их временная динамика. Два высокоэнергетичных пика в спектрах можно связать с межуровневыми дырочными переходами из основного и возбужденного состояний квантовых точек в непрерывный спектр. Низкоэнергетичный пик соответствует межуровневым переходам дырок между основным и возбужденным  состояниями точек. Временная динамика затухания высокоэнергетичных пиков может быть описана через быструю и медленную компоненты, связанные с особенностями захвата фотовозбужденных носителей на уровни в квантовой точке. Возможным применением структур с квантовыми точками Ge/Si могут быть детекторы среднего инфракрасного диапазона.