Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

В работе сопоставлено влияние вида, дозы и температуры облучения стабильными элементарными частицами (электронами и протонами с энергиями 15 и 0.9 МэВ соответственно) на свойства высоковольтных 4H-SiC интегрированных диодов Шоттки (JBS) при комнатной (23°С) и предельно допустимой рабочей (175°С) температурах. Установлено, что электронное облучение объекта одинаковыми дозами при температурах 23°С и 175°С приводит к существенному росту дифференциального сопротивления базовых слоев в первом случае и отсутствию этого эффекта во втором. Однако во втором случае DLTS-спектры демонстрируют заметный рост концентрации глубоких уровней в верхней половине запрещенной зоны. Протонное же облучение даже при 175°С приводит к существенному росту указанного сопротивления. Исследовано влияние отжига на облученные протонами структуры. Полученные результаты позволяют оценивать устойчивость исследованных приборов к протонному и электронному облучению в рамках любых заданных требований.