Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя

В работе были проведены исследования морфологии, состава и оптических свойств эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом плазменной молекулярно-лучевой эпитаксии на буферном слое AlN, сформированном на обычной подложке монокристаллическогос-Siиподатливыхподложкахс-Siспредварительносформированными на них буферными слоями пористого кремния (por-Si) и карбидизированным пористым слоем (SiC/por-Si). Слои AlGaN, сформированные на буфере por-Si, показали на 15% более высокую интенсивность спектров фотолюминесценции в видимом диапазоне, по сравнению со слоями, сформированными на обычной подложке Si.