Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора
Авторы:
Аннотация:
В данной работе представлены результаты моделирования гетероструктуры для создания нормально закрытого p-канального транзистора. Конструкция верхних слоев гетероструктуры определялась условием возникновения двумерного дырочного газа (2DHG) на гетеропереходе p-GaN/AlGaN. Исследование зонных диаграмм продемонстрировало зависимость поведения транзистора от толщины слоя p-GaN и концентрации примесей в нем. Обнаружена зависимость формирования нормально открытого или нормально закрытого транзистора от толщины p-GaN и концентрации в нем примесей.