Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов
Авторы:
Аннотация:
В данной работе представлены результаты теоретического исследования процесса формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной поверхности GaAs(001) во время капельной эпитаксии. Результаты показывают, что с увеличением степени покрытия поверхности сила связи адатомов смачивающего слоя с подложкой значительно падает, что приводит к увеличению их подвижности, влияющей на размер и распределение металлических нанокапель и получаемых из них квантовых точек.