Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si

Исследованы вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фототока p-i-n структур, включающих множественные квантовые ямы GeSiSn/Si с содержанием Sn вплоть до 15%. Показано, что увеличение содержания олова от 4.5 до 15% приводит к увеличению плотности темнового тока с 6×10⁻⁶ А/см² до 5×10⁻⁴ А/см² при обратном смещении 1 В. Продемонстрировано, что увеличение содержания олова в гетероструктурах приводит к увеличению длинноволновой границы фотоответа вплоть до 2.25 µm.