Фотовольтаические характеристики HJT фотопреобразователей лазерного излучения на длине волны 1064 нм

Физическая электроника
Авторы:
Прудченко Ксения Константиновна Терукова Екатерина Евгениевна Контрош Евгений Владимирович Толкачев Иван Андреевич Кокшаров Егор Геннадиевич Павлова Екатерина Григорьевна Калиновский Виталий Станисловович Теруков Евгений Иванович
Аннотация:

Показана возможность эффективного преобразования постоянного лазерного излучения инфракрасного диапазона фотоэлектрическими преобразователями на основе гетеропереходных a-Si:H/c-Si структур. Исследованы фотовольтаические характеристики образцов из восьми различных типов гетеропереходных структур. Наилучшей по вольт-амперным характеристикам и параметрам темновых токов, внешней квантовой эффективности, эффективности преобразования лазерного излучения на длине волны 1064 нм с плотностью мощности до 2 кВт/м2, оказалась n-α-Si/n-c-Si/p-α-Si гетеропереходная структура. Максимальный КПД данной структуры достигался при плотности мощности 1 кВт/м2 и составил ~ 24.5%.