Структурные напряжения и температурный баланс в фотопреобразователях A3B5 с тонкой Ge подложкой

В условиях высокой освещенности для фотоэлектрических преобразователей стабилизировать температуру фотоактивной области можно с помощью радиатора с высокой теплопроводностью и утончения подложки, являющейся держателем полупроводниковой структуры. Однако совместное использование обоих методов может привести к значительному увеличению хрупкости преобразователя. Настоящая работа посвящена поиску баланса между хрупкостью и перегревом солнечных элементов GaAs/Ge, установленных на медном радиаторе с керамической прокладкой. Такой композитный радиатор, с одной стороны, снижает механические напряжения в полупроводнике, а с другой стороны, улучшает режим отвода тепла.