Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

Физическое материаловедение
Авторы:
Семакова Антонина Александровна Романов Владимир Викторович Баженов Николай Леонидович Мынбаев Карим Джафарович Моисеев Константин Дмитриевич
Аннотация:

Исследованы электролюминесцентные (ЭЛ) характеристики асимметричных гетероструктур InAs/InAs1-ySby/InAsSbP с мольной долей InSb в активной области y = 0.09 и y = 0.11 в диапазоне температур T = 4.2–300 K. При низких температурах (T < 30 K) наблюдалось стимулированное излучение в спектральной области 4.1–4.2 мкм. Установлено, что спектры ЭЛ формировались за счет различных каналов излучательной рекомбинации в зависимости от температуры окружающей среды. Рассмотрено влияние качества гетероперехода II типа InAsSb/InAsSbP на излучательные рекомбинационные переходы.