Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Выяснен вклад нескольких механизмов в падение квантовой эффективности зеленых InGaN/GaN светодиодов по мере роста температуры в диапазоне 300–400 К. Один из них – ионизация атомов, локализованных на разупорядоченных гетерограницах в InGaN/GaN квантовых ямах, расположенных вне области объемного заряда (ООЗ) при j < 10 A/см² and U < U_tr (напряжение открытия p-n перехода). Ионизованные атомы захватывают туннелирующих носителей заряда, что приводит к снижению квантовой эффективности. Другой механизм связан с захватом носителей заряда, туннелирующих в трехмерных неоднородностях квантовых ям, расположенных вне ООЗ при U > U_tr and 10 A/см² < j < 30 A/cм². Растущая концентрация термолизованных носителей снижает величину зонного флуктуационного потенциала, что приводит к вертикальному диффузионному транспорту носителей и эффекту шнурования.