Исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
В работе впервые проведено исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек In0.4Ga0.6As/GaAs. Разработана теоретическая модель, описывающая картину излучения в дальней зоне. Показано, что в вертикальном направлении диаграмма направленности имеет узконаправленный характер (основная часть мощности ограничивается в диапазоне 20 градусов) и характеризуется узкими лепестками направленности, положение и количество которых определяется высотой волновода относительно подложки. Установлено, что в горизонтальном направлении каждой оптической моде соответствует своя картина дальнего поля. Изменение тока накачки приводит к смене доминантной оптической моды и картины дальнего поля. Отклонение формы резонатора от круговой приводит к хаотизации периферийных мод и генерации через более углубленные МШГ-подобные. Уменьшение диаметра резонатора позволяет уменьшить количество лепестков горизонтальной диаграммы направленности