Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Авторы:
Винниченко Максим Яковлевич Махов Иван Сергеевич Селиванов Анатолий Викторович Сорокина Анастасия Максимовна Воробьев Леонид Евгеньевич Фирсов Дмитрий Анатольевич Штеренгас Леонид Максович Беленький Григорий Львович
Аннотация:

Экспериментально исследованы спектры межзонной фотолюминесценции структур с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb различной ширины. Проведен расчет зависимости концентрации носителей заряда, участвующих в излучательной рекомбинации, от интенсивности накачки. Результаты расчета удовлетворительно согласуется с экспериментальной зависимостью интенсивности фотолюминесценции в максимуме спектра от интенсивности накачки. В одном из исследуемых образцов обнаружена резонансная оже-рекомбинация с участием двух дырок и электрона, которая приводит к значительному уменьшению концентрации носителей заряда. Для повышения эффективности инжекционных полупроводниковых лазеров на длины волн около 3 мкм даны рекомендации по подавлению безызлучательной оже-рекомбинации.