Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs / GaSb

Исследована фотолюминесценция высокого временного разрешения в сверхрешетках InAs/GaSb при различных энергиях возбуждения, получены спектры фотолюминесценции и поглощения, исследована фотолюминесценция в условиях слабой синусоидальной модуляции интенсивности излучения накачки. По зависимости интенсивности фотолюминесценции от частоты модуляции определено время жизни неосновных носителей заряда в структуре. Аналогичные результаты получены с использованием фотолюминесценции высокого временного разрешения. Показано, что фактором, ограничивающим время жизни неосновных носителей заряда в исследуемой структуре, является рекомбинация Шокли–Рида–Холла.