Толкачев Иван Андреевич
  • Место работы
    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация

Энерго-информационный гибридный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 23
  • 3370
  • Страницы: 47-51

Фотовольтаические характеристики HJT фотопреобразователей лазерного излучения на длине волны 1064 нм

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 27
  • 3320
  • Страницы: 52-58

Температурная характеризация соединительных туннельных диодов GaAs/AlGaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 34
  • 2966
  • Страницы: 30-41

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 2125
  • Страницы: 165-170

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: