Трегулов Вадим Викторович
  • Место работы
    Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина

Методика исследования поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах CdS/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 6971
  • Страницы: 27-32

Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния

Физическое материаловедение
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 660
  • 7804
  • Страницы: 130-136

Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 1
  • 30
  • 7715
  • Страницы: 18-25

Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 2
  • 35
  • 6223
  • Страницы: 17-26

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: