Найти
НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки
Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
Редакционная коллегия
Главный редактор
Архив выпусков
Авторам
Меню
Содержание и структура статьи
Оформление статьи
Этика научных публикаций
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Аннотация к статье
Список литературы
Лицензионное соглашение
График выхода журналов
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
Карабешкин Константин Валерьевич
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 17
Выпуск 3.1
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 2
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 1.1
Полный текст
Карабешкин Константин Валерьевич
Место работы
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
195251, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 29
Публикации
Orcid ID
Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами
Физика конденсированного состояния
Карабешкин К.В.
Карасёв П.А.
Беляков В.С.
Архипов А.В.
Титов А.И.
Год: 2012
Выпуск: 2
0
6865
Страницы: 55-61
Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами
Физическая электроника
Карасёв П.А.
Карабешкин К.В.
Год: 2012
Выпуск: 3
0
6921
Страницы: 64-70
Ионно-индуцированное формирование наноструктур золота на пленке из полиметилметакрилата
Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Студзинский В.М.
Карабешкин К.В.
Кондратьева А.С.
Федоренко Е.Д.
Карасёв П.А.
Мишин М.В.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.2
20
2777
Страницы: 69-74
Особенности накопления структурных нарушений при имплантации ионов разных масс в альфа-оксид галлия при малых уровнях повреждения
Физика конденсированного состояния
Клевцов А.И.
Карасёв П.А.
Карабешкин К.В.
Титов А.И.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 4
23
1798
Страницы: 42-49
Трансформация структуры тонких металлических пленок при активировании их способности к низковольтной эмиссии электронов
Физическая электроника
Бизяев И.С.
Карасёв П.А.
Карабешкин К.В.
Габдуллин П.Г.
Архипов А.В.
Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 2
22
1171
Страницы: 80-93