Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Авторы:
Масютин Д.А. Руднев А.А. Моисеев Э.И. Войнилович А.Г. Луценко Е.В. Цацульников А.Ф. Сахаров А.В. Артеев Д.С. Николаев А.Е. Пивоварова А.А. Заварин Е.Е. Ильинская Н.Д. Марков Л.К. Смирнова И.П. Крыжановская Н.В. Жуков А.Е.
Аннотация:

В работе представлены результаты исследования высокотемпературных характеристик микродисковых лазеров с активной средой на основе квантовых ям InGaN/GaN. Исследовались спектры фотолюминесценции микродисков диаметром 5 мкм в диапазоне температур от 25 °C до 100 °C. Продемонстрирована высокая температурная стабильность лазерной генерации.