В магнитных полях до 45 Тл в области прямых и непрямых межзонных оптических переходов исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) квантовых ям ZnSe/BeTe II типа без общего атома на границах раздела.  Интерфейсные состояния носителей наблюдались в спектральных областях непрямого перехода. Были рассчитаны константы диамагнитного сдвига и g-факторы, позволяющие определить радиус локализации  состояний в плоскости интерфейса. По мере увеличения магнитного поля обнаружено относительное перераспределение интенсивностей непрямых и интерфейсных линий ФЛ экситонов. Это перераспределение  можно объяснить блокировкой каналов заполнения состояний интерфейса через слой BeTe. Была разработана модель, описывающая зависимость интенсивности ФЛ от магнитного поля, которая хорошо согласуется с  экспериментальными данными.