В работе исследованы вольт-амперные характеристики и характеристики обратного восстановления высоковольтных p–i–n диодов на основе слоев Al_xGa_1–xAs_1–ySb_y с x от 0 до 0.6 и y от 0 до 0.2, изготовленных  методом жидко-фазной эпитаксии за счет автолегирования фоновыми примесями. Выяснено, что для p⁰–i–n⁰ переходов на основе GaAs, Al_xGa_1–xAs и Al_xGa_1–xAs_1–ySb_y с x до 0.6 и y до 0.04 при малых плотностях тока  прямые вольт-амперные характеристики описываются как сумма рекомбинационного тока в области объемного заряда и диффузионного тока в базовых слоях. Эффективное время жизни неравновесных носителей  заряда уменьшается от ~ 170 нс в GaAs слоях до 30–60 нс в слоях Al_xGa_1–xAs с x от 0.2 до 0.45 и до 4–12 нс в Al_xGa_1–xAs_1–ySb_y слоях.