В рамках данной работы демонстрируется подход к оценке удельной излучающей способности углеродных точек (УТ) на поверхности нитевидных нанокристаллов (ННК) GaP, GaN и Si при помощи метода конфокальной  флуоресцентной микроскопии. Показана модель взаимодействия УТ с поверхностью ННК GaP, GaN и Si в терминах величин удельной плотности адсорбционных центров кристаллической структуры  поверхности ННК. Показано влияние кристаллической структуры ННК на фотолюминесценцию УТ. Результаты данной работы интересны в первую очередь с точки зрения возможности синтеза гибридных светоизлучающих структур, свойствами которых становится возможным управлять за счёт варьирования материала, структуры и геометрии ННК.