Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

Планарная структура вертикального микрорезонатора с непоглощающими распределенными брэгговскими отражателями Al_0.2Ga_0.8As/Al_0.9Ga_0.1As была изготовлена методом молекулярно-пучковой эпитаксии.  Квантовые точки, сформированные по механизму Странски-Крастанова из слоя In_0.63Ga_0.37As демонстрируют фотолюминесценцию при комнатной температуре вблизи 1110 нм, с характерной полушириной пика около 80 мэВ. Величина спектрального рассогласования между положением пика фотолюминесценции активной области и провалом в спектре отражения составило около 115 мэВ при температуре 290 К. Сдвиг  положения резонансной длины волны в спектре отражения при смещении от центра к краю пластины не превысил 15 мэВ. Оценочная величина шероховатости поверхности планарной структуры вертикального микрорезонатора толщиной 8 мкм не превысила 1.3 нм.