Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si
Был рассмотрен новый тип гетероструктурного солнечного элемента на основе фосфида галлия/черного кремния. Наноструктурированная поверхность черного кремния (b-Si) была получена путем криогенного травления в газовой смеси SF6/O2. Средняя высота структур b-Si варьируется от 1.4 до 2.1 мкм. Гетеропереход был изготовлен с помощью низкотемпературного метода, такого как атомно-слоевое плазмохимическое осаждение (АСПХО). Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии толщина нанесенного слоя фосфида галлия составляет 30 нм. Слой состоит из кристаллитов, выровненных по направлению решетки, а также их двойников. Этот тонкий GaP слой позволил достичь фактора заполнения в 54.5% без прозрачного проводящего оксида и с использованием тестовой сетки. Использование слоя GaP в качестве эмиттера приводит к расширению границы спектра внешней квантовой эффективности в коротковолновой области.