Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения

Проведены исследования слоев фосфида бора ВР и гетеропереходов BP/n-Si, сформированных методом плазмохимического осаждения при температуре 350 °С на подложках n-Si с использованием диборана и фосфина. Установлено, что увеличение мощности водородной плазмы позволяет избежать пиннинга уровня Ферми на границе BP/n-Si. Дополнительное разбавление потоком водорода приводило к увеличению проводимости слоя ВР, а поведение вольтамперной характеристики структуры Au/BP/n-Si (золотой электрод) становилось выпрямляющим. Методом спектроскопии полной проводимости были обнаружены поверхностные состояния электронов на границах BP/n-Si во всех образцах и глубокие электронные уровни с энергией 0,58 – 0,65 эВ в слоях ВР, выращенных без дополнительного потока водорода.