Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn
Авторы:
Аннотация:
В настоящей работе представлено экспериментальное исследование динамики электронно-ядерной спиновой системы в объемных слоях GaAs, легированного ионами Mn при температуре 4,2 К. Получена зависимость времен электронной спиновой релаксации от мощности оптической накачки для трех образцов с различной концентрацией мелких доноров и акцепторов. Времена электронной спиновой релаксации определялись как для экситонного перехода, там и для перехода глубокого акцепторного центра Mn. Получена зависимость времен ядерной спин-решеточной релаксации T1 от величины внешнего поперечного магнитного поля.